Dedektör kristal boyutunun compton bastırma faktörleri üzerindeki etkisi

Bir HPGe-NaI için bastırma faktörünü etkileyen geometrik parametreler Compton bastırma spektrometresi, EGS4 ile Monte Carlo simülasyonları tarafından incelenmiştir. Spektrumlar, 200 keV ile 2 MeV arasında değişen 5 enerji değeri için sandıklanmıştır. Compton bastırma faktörleri (CSF'ler), sistem performansını karakterize eden parametreler, farklı HPGe kristal parametreleri için hesaplanmıştır. Laboratuvar eldesi 400 keV'a kadar olan gama enerji değerleri için daha iyi Compton bastırılmış faktörler elde etmesi için mümkün olduğunca küçük HPGe kristali seçiminin gerektiği gözlendi. Ancak, 2 MeV'e kadar olan daha yüksek enerjiler için daha büyük HPGe kristallerin Compton bastırması açısından daha etkin olduğu ortaya çıkarıldı.

The geometrical parameters which affect the suppression factor for an HPGe-NaI Compton suppression spectrometer were studied by a Monte Carlo simulations with the EGS4 system. The spectrums were crated for 5 energy values ranging from 200 keV to 2 MeV. Compton suppression factors (CSFs), the parameters characterizing the system performance, were calculated for different HPGe crystal parameters. It was observed that in order to obtain better Compton suppressed factors, a laboratory must choose as small HPGe crystal as possible for energy values up to 400 keV. However, for higher energies up to 2 MeV, larger HPGe crystals provide better Compton suppression systems.