Abdulkadir Gök

Bir HPGe-NaI için bastırma faktörünü etkileyen geometrik parametreler Compton bastırma spektrometresi, EGS4 ile Monte Carlo simülasyonları tarafından incelenmiştir. Spektrumlar, 200 keV ile 2 MeV arasında değişen 5 enerji değeri için sandıklanmıştır. Compton bastırma faktörleri (CSF'ler), sistem performansını karakterize eden parametreler, farklı HPGe kristal parametreleri için hesaplanmıştır. Laboratuvar eldesi 400 keV'a kadar olan gama enerji değerleri için daha iyi Compton bastırılmış faktörler elde etmesi için mümkün olduğunca küçük HPGe kristali seçiminin gerektiği gözlendi. Ancak, 2 MeV'e kadar olan daha yüksek enerjiler için daha büyük HPGe kristallerin Compton bastırması açısından daha etkin olduğu ortaya çıkarıldı.